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基本信息
| 中文名 | 漏電抗 |
| 外文名 | leakage reactance |
| 別名 | 漏抗 |
| 運(yùn)用領(lǐng)域 | 電氣工程、儀器科學(xué)、機(jī)械工程 |
| 材質(zhì) | |
| 實(shí)質(zhì) | 描述漏磁通的物理量 |
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簡介
電機(jī)的漏電抗是由漏磁通引起的。在電機(jī)的繞組中，通入電流，將產(chǎn)生磁通，根據(jù)磁通的路徑，可以分為主磁通和漏磁通兩部分。主磁通的路徑主要是鐵磁材料，同時(shí)與定子和轉(zhuǎn)子兩部分繞組交鏈（穿過），是工作磁通，起能量轉(zhuǎn)換、傳遞的作用，一般用感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)進(jìn)行描述：E=4.44kfφ。漏磁通則是只與產(chǎn)生它的繞組交鏈（只穿過產(chǎn)生它的繞組），漏磁通不起能量轉(zhuǎn)換、傳遞的作用，只產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，引起自感壓降。描述漏磁通可以用一個(gè)電抗表示，就是漏電抗。
漏磁通
簡單來講，變壓器就是通過公共磁場耦合的兩個(gè)或多個(gè)線組，這個(gè)公共磁場將能量(電壓或電流信號(hào))從一個(gè)繞組(初級(jí))傳送到另一個(gè)繞組(次組)。當(dāng)有交流電通過一個(gè)繞組時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生磁場，磁場通常用磁力線來表示。磁力線經(jīng)過的是磁阻(電抗)最小的路徑，當(dāng)有交流信號(hào)在初級(jí)線圈中形成閉合回路時(shí)，初級(jí)繞組的磁通就會(huì)在次級(jí)繞組中感生出電流，然而，并非初級(jí)繞組產(chǎn)生的所有磁通都會(huì)通過次級(jí)繞組，并未同時(shí)通過初、次級(jí)繞組的磁通稱為漏磁通。
參數(shù)辨識(shí)
漏電感參數(shù)是變壓器保護(hù)及狀態(tài)監(jiān)測(cè)中最關(guān)鍵的參數(shù)之一，它作為研究繞組狀態(tài)的一個(gè)重要參數(shù)，由于其不隨運(yùn)行中狀態(tài)電氣量改變的特性，因此在線檢測(cè)變壓器短路電抗變化來分析繞組健康狀況的技術(shù)正逐漸得到重視。
對(duì)變壓器漏電抗參數(shù)在線辨識(shí)方法進(jìn)行了研究，利用變壓器等值回路平衡方程原理，對(duì)變壓器繞組進(jìn)行建模，給出了變壓器漏電抗參數(shù)辨識(shí)算法的等效模型，提出了利用最小二乘法的變壓器漏電感參數(shù)辨識(shí)方法。
基本原理
辨識(shí)就是在輸入和輸出的基礎(chǔ)上由規(guī)定的一類系統(tǒng)模型中確定一個(gè)系統(tǒng)模型，使這與被測(cè)系統(tǒng)等價(jià)。辨識(shí)包括三大要素：系統(tǒng)的輸入輸出數(shù)據(jù)、模型類和等價(jià)準(zhǔn)則?？紤]如下的一個(gè)線性離散模型的辨識(shí)問題，y 是系統(tǒng)的輸出變量，它與n 維的輸入變量是線性關(guān)系
漏電抗
解析計(jì)算
基本思想
在基本假定下. 變壓器鐵心窗由所有載流線圈的總安匝數(shù)為零。這樣安匝為零的線圈產(chǎn)生的磁場. 隨著場點(diǎn)到線圈距離的增加而很快衰減。變壓器鐵心對(duì)窗口中場的影啊是鐵磁邊界上磁化電流對(duì)場的影響, 這種影響可以用鏡像線圈及其電流進(jìn)行等效。
從理論上講, 鏡像線圈應(yīng)為無窮多組。但由于距窗口較遠(yuǎn)的鏡像線圈對(duì)窗口中場的影響很小。因此實(shí)際應(yīng)用時(shí)可用距鐵心窗口較近的鏡像線圈組來近似計(jì)算鐵心對(duì)窗口中場的影響。場域中的場即為這些等效鏡像線圈和實(shí)體線圈一起產(chǎn)生的場。
鏡像線圈關(guān)系
當(dāng)場域四周都考慮1 一40 次鏡像線圈時(shí), 鐵磁邊界上的磁感應(yīng)強(qiáng)度都十分接近和邊界正交。因此有理由說, 在這種情況下，算出的鐵心窗口中磁感應(yīng)強(qiáng)度也十分接近于其真解
看出, 當(dāng)鏡像線圈的最高歡數(shù)從2 增加到40 時(shí), 域內(nèi)磁場較強(qiáng)處磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化大體上在3.4%之內(nèi)。也就是說, 若用一次和二次鏡像線圈近似等效鐵心對(duì)場的影響, 在場較強(qiáng)處, 磁感強(qiáng)度的計(jì)算誤差小于3.4%。
漏電抗是總體參數(shù), 它的精度主要依賴于磁場較強(qiáng)處B 的精度; 另外, 求總體參數(shù)時(shí)還存在有誤差補(bǔ)償作用, 因此在實(shí)際計(jì)算漏電抗時(shí), 只需考慮一次和二次鏡像線圈對(duì)場的影響即可。
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