半導(dǎo)體的電阻率介于金屬和絕緣體之間：室溫時(shí)約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的）。

中文名

半導(dǎo)體電阻率

外文名

Semiconductor resistivity

拼音

bàn dǎo tǐ diàn zǔ lǜ

定義

半導(dǎo)體的電阻率介于金屬和絕緣體之間

類型

電子

室溫

1mΩ·cm~1GΩ·cm之間

電阻率范圍

間于金屬和絕緣體之間

晶向

電阻率與晶向有關(guān)。

對(duì)于各向異性的晶體，電導(dǎo)率是一個(gè)二階張量，共有27個(gè)分量。

特別的，對(duì)于Si之類的具有立方對(duì)稱性的晶體，電導(dǎo)率可以簡(jiǎn)化為一個(gè)標(biāo)量的常數(shù)（其他二階張量的物理量都是如此）。

載流子

電阻率的大小決定于半導(dǎo)體載流子濃度n和載流子遷移率μ：ρ=1/ nqμ。

對(duì)于摻雜濃度不均勻的擴(kuò)散區(qū)的情況，往往采用平均電導(dǎo)率的概念；在不同的擴(kuò)散濃度分布（例如高斯分布或余誤差分布等）情況下，已經(jīng)作出了平均電導(dǎo)率與擴(kuò)散雜質(zhì)表面濃度之間的關(guān)系曲線，可供查用。

溫度

決定電阻率溫度關(guān)系的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化關(guān)系。

在低溫下

由于載流子濃度指數(shù)式增大（施主或受主雜質(zhì)不斷電離），而遷移率也是增大的（電離雜質(zhì)散射作用減弱之故），所以這時(shí)電阻率隨著溫度的升高而下降。

在室溫下

由于施主或受主雜質(zhì)已經(jīng)完全電離，則載流子濃度不變，但遷移率將隨著溫度的升高而降低（晶格振動(dòng)加劇，導(dǎo)致聲子散射增強(qiáng)所致），所以電阻率將隨著溫度的升高而增大。

在高溫下

這時(shí)本征激發(fā)開始起作用，載流子濃度將指數(shù)式地很快增大，雖然這時(shí)遷移率仍然隨著溫度的升高而降低（晶格振動(dòng)散射散射越來越強(qiáng)），但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強(qiáng)，所以總的效果是電阻率隨著溫度的升高而下降。

本征激發(fā)溫度

半導(dǎo)體開始本征激發(fā)起重要作用的溫度，也就是電阻率很快降低的溫度，該溫度往往就是所有以pn結(jié)作為工作基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件的最高工作溫度（因?yàn)樵谠摐囟认拢琾n結(jié)即不再存在）；該溫度的高低與半導(dǎo)體的摻雜濃度有關(guān)，摻雜濃度越高，因?yàn)槎鄶?shù)載流子濃度越大，則本征激發(fā)起重要作用的溫度——半導(dǎo)體器件的最高工作溫度也就越高。所以，若要求半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性越高，其摻雜濃度就應(yīng)該越大。