同步發(fā)電機(jī)在運行中,當(dāng)發(fā)生定子繞組匝間短路、定子繞組相間短路、定子接地短路等故障時,繼電保護(hù)裝置就快速地將發(fā)電機(jī)從系統(tǒng)中切除,但發(fā)電機(jī)的感應(yīng)電勢卻依然存在,繼續(xù)供給勵磁電流,故將會發(fā)生導(dǎo)線的熔化和絕緣材料的燒損,甚至燒壞鐵芯。因此,當(dāng)發(fā)生上述發(fā)電機(jī)的短路等故障時,在繼電保護(hù)動作將發(fā)電機(jī)斷路器跳開的同時,還應(yīng)迅速地給發(fā)電機(jī)滅磁。滅磁就是將發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子繞組中的磁場能量盡快地減小到最小程度。當(dāng)然,最簡單的滅磁方法是將發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子勵磁繞組與電源斷開,但勵磁繞組是一個大電感,突然斷開,將使勵磁繞組的兩端產(chǎn)生很高的過電壓,危害轉(zhuǎn)子的絕緣,所以,用斷開轉(zhuǎn)子回路電源的辦法來滅磁是不恰當(dāng)?shù)?。將發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子繞組接到耗損磁場能量的閉合回路中去,才是可行的。

中文名

滅磁系統(tǒng)

外文名

De-excitation System

發(fā)展過程

串聯(lián)耗能滅磁

磁最初就是直接利用耗能開關(guān)吸收發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子中儲存的能量。比如俄羅斯生產(chǎn)的耗能開關(guān)利用弧間隔燃燒來耗能。但是這種方式存在如下缺點:

a.體積大

b.不易維護(hù)

滅磁系統(tǒng)

c.滅磁成功與否取決于弧的形成

d.容易引起事故

e.產(chǎn)品根據(jù)發(fā)電機(jī)機(jī)組容量需要特殊訂制,不易規(guī)?;?,系列化

由于這些缺點的存在,采用耗能開關(guān)的滅磁方式逐漸被并聯(lián)移能滅磁方式代替。

機(jī)械開關(guān)并聯(lián)移能滅磁

機(jī) 械開關(guān)串聯(lián)于勵磁主回路、滅磁耗能電阻并聯(lián)在轉(zhuǎn)子兩端是這類滅磁的接線方式。

ANSI/IEEEC37.18-1979標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,一般機(jī)械開關(guān)需要有至少一對主觸頭(MK1)、一對滅磁常閉觸頭(MK2)。20年來,隨著國內(nèi)ZnO電阻耗能在滅磁系統(tǒng)中的應(yīng)用,滅磁觸頭也并非必要了。但值得注意的是,在不采用滅磁觸頭的滅磁系統(tǒng)中,需認(rèn)真核算ZnO的滅磁殘壓與荷電率。

這類滅磁方式在國內(nèi)是主要的滅磁方式。主回路有明顯的開斷觸頭,在勵磁系統(tǒng)內(nèi)部故障時,可以開斷勵磁主回路,切斷故障源,快速地消滅發(fā)電機(jī)主磁場,將發(fā)電機(jī)損失控制在最小范圍內(nèi)。目前使用的機(jī)械開關(guān)主要有DM2、DM4、DMX、E3H、E4H、UR、PHB、MM74、CEX等。

這類滅磁方式的主要問題是滅磁開關(guān)選型比較困難。小機(jī)組選大的開關(guān),成本比較高;選小開關(guān)滿足不了工況要求;大型尤其是巨型水力發(fā)電機(jī)機(jī)組開關(guān)選擇更為困難。

電子開關(guān)并聯(lián)移能滅磁

前 些年,國內(nèi)一些廠家將滅磁開關(guān)建壓任務(wù)轉(zhuǎn)移到電力電子器件上來。其原理是利用電容的放電過程,使可控硅的電流降到零,并形成反壓使之關(guān)斷。

這類方式下開關(guān)動作時間短,因此開關(guān)在開斷過程中所需遮斷能容就小,并且建壓速度快,利于快速滅磁。但其缺點是開關(guān)動作的可靠性取決于電子回路工作的可靠性。

與機(jī)械開關(guān)比較它沒有觸頭磨損,易于維護(hù),成本也低。但目前在大電流系統(tǒng)中不宜采用。它存在兩個問題:發(fā)熱問題及器件選型問題。然而值得注意的是,隨著電力電子器件的快速發(fā)展,高電壓大電流的全控器件也會在不久投入商業(yè)運行。電力電子器件將在滅磁中發(fā)揮更大的作用。但是長期通流帶來的發(fā)熱仍是采用這種方法需解決的首要問題。

為克服上述兩種滅磁方式的缺點,人們開始在材料科學(xué)領(lǐng)域探索,尋找一種既不發(fā)熱,又可以建壓的材料。將PTC電阻或鉬棒與開關(guān)并聯(lián),利用材料在溫度升高時電阻急劇增加的特點,建立比較高的電壓,打通滅磁電阻回路,實現(xiàn)滅磁。也可以采用超導(dǎo)材料串入回路,在需要滅磁時使超導(dǎo)材料失超。但是若要建立比較高的電壓,超導(dǎo)體的長度相應(yīng)比較長,體積比較大。

由于以上滅磁方式的缺陷,業(yè)內(nèi)人士希望能夠?qū)⒖煽毓枵鳂蛑苯雨P(guān)斷,將機(jī)械開關(guān)移至勵磁變低壓側(cè)。這樣解決了勵磁系統(tǒng)具有明顯開路點的問題、又解決了機(jī)械并聯(lián)滅磁方式開關(guān)難選擇的問題。

交流滅磁

與水輪發(fā)電機(jī)相比,滅磁對于汽輪發(fā)電機(jī)要相對容易一些。主要因為轉(zhuǎn)子電感值較小,阻尼繞組作用比較明顯,因此交流滅磁在汽輪發(fā)電機(jī)勵磁系統(tǒng)應(yīng)用較多。交流滅磁是將直流開關(guān)難開斷、難建壓的問題轉(zhuǎn)移到勵磁源的交流側(cè)。

交流滅磁是利用可控硅陽極電源負(fù)半周輔助實現(xiàn)的一種滅磁方式,交流滅磁勵磁電壓波形如圖4-4所示。滅磁開關(guān)既可以安裝在交流側(cè)也可以安裝在直流側(cè),但都必須配合封脈沖的措施(由于交流滅磁開關(guān)跳開過程中同步電源缺相而導(dǎo)致的自動封鎖脈沖等效于封脈沖),否則都不能實現(xiàn)交流滅磁。

當(dāng)滅磁開關(guān)裝在交流側(cè)時,可以利用在滅磁開關(guān)打開的過程中一相無電流而自動分?jǐn)嗟奶攸c,并借助可控硅的自然續(xù)流將可控硅陽極的交流電壓引入到滅磁過程中去。即使在發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子電流換流到滅磁電阻支路前,有可控硅的觸發(fā)脈沖使得某個橋臂的兩個可控硅直通,形成轉(zhuǎn)子回路短接滅磁,仍然可以保證交流側(cè)滅磁開關(guān)的分?jǐn)喽鴮崿F(xiàn)自然續(xù)流滅磁。當(dāng)然這樣滅磁時間會比較長,按轉(zhuǎn)子時間常數(shù)Td0進(jìn)行衰減,而且滅磁過程中最多只能利用滅磁開關(guān)兩個斷口的弧壓。

當(dāng)滅磁開關(guān)安裝在直流側(cè)時,必須配合封脈沖措施,否則不能實現(xiàn)交流滅磁。滅磁開關(guān)安裝在直流側(cè)的好處是滅磁過程中可以充分利用滅磁開關(guān)串聯(lián)斷口的弧壓。事實上,封脈沖是一種簡便易行的方法,而其作用非常顯著,因此在采用交流滅磁的場合,封脈沖措施是必須的。

值得注意的是,交流滅磁需要考慮以下兩種情況:

第一,需要考慮機(jī)端三相短路。當(dāng)發(fā)電機(jī)機(jī)端三相短路時,只能夠靠滅磁開關(guān)的斷口弧壓滅磁,如果滅磁電阻換流需要的電壓大于交流滅磁開關(guān)的斷口電壓,則不能成功滅磁,就會損壞交流開關(guān)??紤]到這種情況,一般在轉(zhuǎn)子兩端設(shè)置電子跨接器或機(jī)械跨接器,甚至兩者都設(shè)置。

第二,需要考慮到可控硅整流橋臂是否存在可控硅損壞,是否有橋臂短路的情況,以及在交流側(cè)短路的異常情況下可否可靠滅磁。

當(dāng)然,采用封閉母線的發(fā)電機(jī)組發(fā)電機(jī)機(jī)端短路可以認(rèn)為基本不存在,一般勵磁變到整流橋之間短路幾率也比較小。若整流裝置交流側(cè)故障,只要整流橋臂熔斷器選擇合理,是能夠降低此類故障幾率的,所以這些異常工況也不必考慮。即使機(jī)端短路也能夠利用短路點比較低的電壓進(jìn)行電流轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)滅磁。

由于汽輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子儲能比較小,電感比較小,加之阻尼比較大,參與滅磁過程作用比較大,采用短接轉(zhuǎn)子滅磁,也是能夠接受的。所以在配備了跨接器的情況下,可以單獨采用交流滅磁。然而通常建議在水輪發(fā)電機(jī)滅磁中不選擇單獨的交流滅磁。而是選擇機(jī)械開關(guān)并聯(lián)移能滅磁或下面介紹的冗余滅磁方案。

冗余滅磁

所謂冗余滅磁,是同時采用兩種及兩種以上的方法滅磁,如在交流、直流側(cè)分別設(shè)置開關(guān),在滅磁過程中同時分?jǐn)?,共同建壓,在跳滅磁開關(guān)的同時封鎖脈沖,利用封脈沖后可控硅續(xù)流形成的交流電壓輔助滅磁等等,這類滅磁方式的好處是,當(dāng)一種滅磁不能正常工作時,另外的滅磁方式仍然能夠可靠地實現(xiàn)滅磁,當(dāng)多種滅磁都正常時,可以大大降低對開關(guān)的要求。如三峽滅磁設(shè)計甚至可以在兩重以上故障情況下可靠滅磁。

實現(xiàn)交直流冗余滅磁可以采用多種方法,不同的方法結(jié)果可能相差很大,或者需要高性能的交/直流滅磁開關(guān)作為必要的保障。

采用以下的滅磁時序可以最大限度地降低對交/直流滅磁開關(guān)的要求,實現(xiàn)多種工況下的可靠滅磁,即:正常情況下采用逆變滅磁;故障時首先采用約1-2個調(diào)節(jié)器控制周期的逆變滅磁,然后采用硬件封脈沖手段閉鎖調(diào)節(jié)器輸出脈沖,如果有交流滅磁開關(guān)可以同時跳交流滅磁開關(guān)(一般情況交流滅磁并非必須設(shè)置交流滅磁開關(guān),但對于大型發(fā)電機(jī)配備交流滅磁開關(guān)是有益的),最后延時6到7毫秒(對于50赫茲而言)跳直流滅磁開關(guān).

設(shè)計原則

由于當(dāng)今大多采用氧化鋅非線性電阻滅磁,所以以下的討論都是基于氧化鋅非線性電阻。采用碳化硅滅磁時與氧化鋅非線性電阻滅磁設(shè)計的原則類似。而對于線性電阻的滅磁,所要考慮的僅僅是滅磁電阻以及電阻功率的選取,標(biāo)準(zhǔn)中有確切規(guī)定。

滅磁系統(tǒng)設(shè)計考慮工況

滅磁系統(tǒng)設(shè)計所需考慮的工況,目前在國內(nèi)有些爭議。一是建議按照額定負(fù)載下,發(fā)電機(jī)機(jī)端三相短路的工況考核滅磁系統(tǒng)電流、能容以及需要建立的弧壓。二是認(rèn)為在空載發(fā)電機(jī)勵磁失控誤強(qiáng)勵的工況來考核。

通常認(rèn)為最危險的工況是空載勵磁失控誤強(qiáng)勵。此時開關(guān)面臨應(yīng)對整流輸出直流電壓和滅磁殘壓的疊加,并且電流也上升到失控強(qiáng)勵的電流(此電流值不會比三相短路電流小),而且可以證明此時發(fā)電機(jī)儲存的能量比三相短路的能量要大。因而采用此工況是合適的。

滅磁設(shè)計需要考慮的幾個問題

ZnO(這里以及文中其他地方所提到的ZnO均是指低場強(qiáng)高能量的非線性ZnO電阻)與SiC相比有較強(qiáng)的非線性特性,在滅磁過程中磁場電壓幾乎不變,滅磁速度快,可以使發(fā)電機(jī)的滅磁更接近于理想滅磁,因此在我國得到了廣泛的應(yīng)用。本文主要針對ZnO滅磁設(shè)計中值得注意的問題展開討論。

在滅磁主回路確定的前提下,ZnO滅磁的設(shè)計中主要考慮的問題包括:滅磁能容的估算、滅磁閥片最大允許通流能力、滅磁裝置最大允許電流、滅磁電阻的殘壓、滅磁電阻正反向荷電率、并聯(lián)支路滅磁電阻的均流和均能等。

滅磁容量的計算

事 實上根據(jù)ZnO閥片的試驗結(jié)果,ZnO閥片的最大能容遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其標(biāo)稱容量。ZnO非線性電阻的能容量不是設(shè)計中最重要的因素,因為ZnO容量基本能夠滿足滅磁支路最大允許電流時的能容,而非線性滅磁電阻的損壞主要是由短時過電流以及長期老化引起。以火電135MW自并激機(jī)組為例,根據(jù)能容的計算,一般都在2MJ以下,而發(fā)電機(jī)的額定勵磁電流一般在1300A以上。IEC37.18標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,發(fā)電機(jī)最大可能產(chǎn)生的勵磁電流為額定勵磁電流的3倍,即3900A以上。一般非線性滅磁電阻的并聯(lián)支路數(shù)在32路以上,甚至不少于40支路,當(dāng)采用兩個閥片串聯(lián)時,則閥片數(shù)量不少于80片。而閥片的實際能容都在30KJ以上,大多數(shù)閥片的最大能容在50-60KJ以上。也就是說,當(dāng)ZnO并聯(lián)支路數(shù)滿足要求時,一般閥片的總能容都遠(yuǎn)遠(yuǎn)在滅磁能容的計算值之上。

這里有兩點值得大家注意:第一,在我們在考慮最危險滅磁工況時,滅磁閥片的能容不應(yīng)該簡單地考慮閥片的標(biāo)稱能容,而應(yīng)該考慮閥片的最大能容,在此基礎(chǔ)上考慮均能、均流因素以及一定的裕量。也就是說,在考慮發(fā)電機(jī)最危險滅磁工況時,閥片的每片能容按30KJ計算是可行的。第二,理論上同樣配比的材料燒制出的閥片的能容與閥片的體積成正比,所以同樣截面的ZnO閥片,殘壓較高的閥片應(yīng)該具有較大的能容。