滅磁系統(tǒng)（滅磁系統(tǒng)）

發(fā)展過程

串聯(lián)耗能滅磁

磁最初就是直接利用耗能開關(guān)吸收發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子中儲(chǔ)存的能量。比如俄羅斯生產(chǎn)的耗能開關(guān)利用弧間隔燃燒來(lái)耗能。但是這種方式存在如下缺點(diǎn)：

a.體積大

b.不易維護(hù)

滅磁系統(tǒng)

d.容易引起事故

e.產(chǎn)品根據(jù)發(fā)電機(jī)機(jī)組容量需要特殊訂制，不易規(guī)?；盗谢?/p>

由于這些缺點(diǎn)的存在，采用耗能開關(guān)的滅磁方式逐漸被并聯(lián)移能滅磁方式代替。

機(jī)械開關(guān)并聯(lián)移能滅磁

機(jī) 械開關(guān)串聯(lián)于勵(lì)磁主回路、滅磁耗能電阻并聯(lián)在轉(zhuǎn)子兩端是這類滅磁的接線方式。

ANSI/IEEEC37.18-1979標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，一般機(jī)械開關(guān)需要有至少一對(duì)主觸頭（MK1）、一對(duì)滅磁常閉觸頭（MK2）。20年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)ZnO電阻耗能在滅磁系統(tǒng)中的應(yīng)用，滅磁觸頭也并非必要了。但值得注意的是，在不采用滅磁觸頭的滅磁系統(tǒng)中，需認(rèn)真核算ZnO的滅磁殘壓與荷電率。

這類滅磁方式在國(guó)內(nèi)是主要的滅磁方式。主回路有明顯的開斷觸頭，在勵(lì)磁系統(tǒng)內(nèi)部故障時(shí)，可以開斷勵(lì)磁主回路，切斷故障源，快速地消滅發(fā)電機(jī)主磁場(chǎng)，將發(fā)電機(jī)損失控制在最小范圍內(nèi)。目前使用的機(jī)械開關(guān)主要有DM2、DM4、DMX、E3H、E4H、UR、PHB、MM74、CEX等。

這類滅磁方式的主要問題是滅磁開關(guān)選型比較困難。小機(jī)組選大的開關(guān)，成本比較高；選小開關(guān)滿足不了工況要求；大型尤其是巨型水力發(fā)電機(jī)機(jī)組開關(guān)選擇更為困難。

電子開關(guān)并聯(lián)移能滅磁

前 些年，國(guó)內(nèi)一些廠家將滅磁開關(guān)建壓任務(wù)轉(zhuǎn)移到電力電子器件上來(lái)。其原理是利用電容的放電過程，使可控硅的電流降到零，并形成反壓使之關(guān)斷。

這類方式下開關(guān)動(dòng)作時(shí)間短，因此開關(guān)在開斷過程中所需遮斷能容就小，并且建壓速度快，利于快速滅磁。但其缺點(diǎn)是開關(guān)動(dòng)作的可靠性取決于電子回路工作的可靠性。

與機(jī)械開關(guān)比較它沒有觸頭磨損，易于維護(hù)，成本也低。但目前在大電流系統(tǒng)中不宜采用。它存在兩個(gè)問題：發(fā)熱問題及器件選型問題。然而值得注意的是，隨著電力電子器件的快速發(fā)展，高電壓大電流的全控器件也會(huì)在不久投入商業(yè)運(yùn)行。電力電子器件將在滅磁中發(fā)揮更大的作用。但是長(zhǎng)期通流帶來(lái)的發(fā)熱仍是采用這種方法需解決的首要問題。

為克服上述兩種滅磁方式的缺點(diǎn)，人們開始在材料科學(xué)領(lǐng)域探索，尋找一種既不發(fā)熱，又可以建壓的材料。將PTC電阻或鉬棒與開關(guān)并聯(lián)，利用材料在溫度升高時(shí)電阻急劇增加的特點(diǎn)，建立比較高的電壓，打通滅磁電阻回路，實(shí)現(xiàn)滅磁。也可以采用超導(dǎo)材料串入回路，在需要滅磁時(shí)使超導(dǎo)材料失超。但是若要建立比較高的電壓，超導(dǎo)體的長(zhǎng)度相應(yīng)比較長(zhǎng)，體積比較大。

由于以上滅磁方式的缺陷，業(yè)內(nèi)人士希望能夠?qū)⒖煽毓枵鳂蛑苯雨P(guān)斷，將機(jī)械開關(guān)移至勵(lì)磁變低壓側(cè)。這樣解決了勵(lì)磁系統(tǒng)具有明顯開路點(diǎn)的問題、又解決了機(jī)械并聯(lián)滅磁方式開關(guān)難選擇的問題。

交流滅磁

與水輪發(fā)電機(jī)相比，滅磁對(duì)于汽輪發(fā)電機(jī)要相對(duì)容易一些。主要因?yàn)檗D(zhuǎn)子電感值較小，阻尼繞組作用比較明顯，因此交流滅磁在汽輪發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)應(yīng)用較多。交流滅磁是將直流開關(guān)難開斷、難建壓的問題轉(zhuǎn)移到勵(lì)磁源的交流側(cè)。

交流滅磁是利用可控硅陽(yáng)極電源負(fù)半周輔助實(shí)現(xiàn)的一種滅磁方式，交流滅磁勵(lì)磁電壓波形如圖4-4所示。滅磁開關(guān)既可以安裝在交流側(cè)也可以安裝在直流側(cè)，但都必須配合封脈沖的措施(由于交流滅磁開關(guān)跳開過程中同步電源缺相而導(dǎo)致的自動(dòng)封鎖脈沖等效于封脈沖)，否則都不能實(shí)現(xiàn)交流滅磁。

當(dāng)滅磁開關(guān)裝在交流側(cè)時(shí)，可以利用在滅磁開關(guān)打開的過程中一相無(wú)電流而自動(dòng)分?jǐn)嗟奶攸c(diǎn)，并借助可控硅的自然續(xù)流將可控硅陽(yáng)極的交流電壓引入到滅磁過程中去。即使在發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子電流換流到滅磁電阻支路前，有可控硅的觸發(fā)脈沖使得某個(gè)橋臂的兩個(gè)可控硅直通，形成轉(zhuǎn)子回路短接滅磁，仍然可以保證交流側(cè)滅磁開關(guān)的分?jǐn)喽鴮?shí)現(xiàn)自然續(xù)流滅磁。當(dāng)然這樣滅磁時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)，按轉(zhuǎn)子時(shí)間常數(shù)Td0進(jìn)行衰減，而且滅磁過程中最多只能利用滅磁開關(guān)兩個(gè)斷口的弧壓。

當(dāng)滅磁開關(guān)安裝在直流側(cè)時(shí)，必須配合封脈沖措施，否則不能實(shí)現(xiàn)交流滅磁。滅磁開關(guān)安裝在直流側(cè)的好處是滅磁過程中可以充分利用滅磁開關(guān)串聯(lián)斷口的弧壓。事實(shí)上，封脈沖是一種簡(jiǎn)便易行的方法，而其作用非常顯著，因此在采用交流滅磁的場(chǎng)合，封脈沖措施是必須的。

值得注意的是，交流滅磁需要考慮以下兩種情況：

第一，需要考慮機(jī)端三相短路。當(dāng)發(fā)電機(jī)機(jī)端三相短路時(shí)，只能夠靠滅磁開關(guān)的斷口弧壓滅磁，如果滅磁電阻換流需要的電壓大于交流滅磁開關(guān)的斷口電壓，則不能成功滅磁，就會(huì)損壞交流開關(guān)。考慮到這種情況，一般在轉(zhuǎn)子兩端設(shè)置電子跨接器或機(jī)械跨接器，甚至兩者都設(shè)置。

第二，需要考慮到可控硅整流橋臂是否存在可控硅損壞，是否有橋臂短路的情況，以及在交流側(cè)短路的異常情況下可否可靠滅磁。

當(dāng)然，采用封閉母線的發(fā)電機(jī)組發(fā)電機(jī)機(jī)端短路可以認(rèn)為基本不存在，一般勵(lì)磁變到整流橋之間短路幾率也比較小。若整流裝置交流側(cè)故障，只要整流橋臂熔斷器選擇合理，是能夠降低此類故障幾率的，所以這些異常工況也不必考慮。即使機(jī)端短路也能夠利用短路點(diǎn)比較低的電壓進(jìn)行電流轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)滅磁。

由于汽輪發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子儲(chǔ)能比較小，電感比較小，加之阻尼比較大，參與滅磁過程作用比較大，采用短接轉(zhuǎn)子滅磁，也是能夠接受的。所以在配備了跨接器的情況下，可以單獨(dú)采用交流滅磁。然而通常建議在水輪發(fā)電機(jī)滅磁中不選擇單獨(dú)的交流滅磁。而是選擇機(jī)械開關(guān)并聯(lián)移能滅磁或下面介紹的冗余滅磁方案。

冗余滅磁

所謂冗余滅磁，是同時(shí)采用兩種及兩種以上的方法滅磁，如在交流、直流側(cè)分別設(shè)置開關(guān)，在滅磁過程中同時(shí)分?jǐn)?，共同建壓，在跳滅磁開關(guān)的同時(shí)封鎖脈沖，利用封脈沖后可控硅續(xù)流形成的交流電壓輔助滅磁等等，這類滅磁方式的好處是，當(dāng)一種滅磁不能正常工作時(shí)，另外的滅磁方式仍然能夠可靠地實(shí)現(xiàn)滅磁，當(dāng)多種滅磁都正常時(shí)，可以大大降低對(duì)開關(guān)的要求。如三峽滅磁設(shè)計(jì)甚至可以在兩重以上故障情況下可靠滅磁。

實(shí)現(xiàn)交直流冗余滅磁可以采用多種方法，不同的方法結(jié)果可能相差很大，或者需要高性能的交/直流滅磁開關(guān)作為必要的保障。

采用以下的滅磁時(shí)序可以最大限度地降低對(duì)交/直流滅磁開關(guān)的要求，實(shí)現(xiàn)多種工況下的可靠滅磁，即：正常情況下采用逆變滅磁；故障時(shí)首先采用約1-2個(gè)調(diào)節(jié)器控制周期的逆變滅磁，然后采用硬件封脈沖手段閉鎖調(diào)節(jié)器輸出脈沖，如果有交流滅磁開關(guān)可以同時(shí)跳交流滅磁開關(guān)（一般情況交流滅磁并非必須設(shè)置交流滅磁開關(guān)，但對(duì)于大型發(fā)電機(jī)配備交流滅磁開關(guān)是有益的），最后延時(shí)6到7毫秒（對(duì)于50赫茲而言）跳直流滅磁開關(guān).

設(shè)計(jì)原則

由于當(dāng)今大多采用氧化鋅非線性電阻滅磁，所以以下的討論都是基于氧化鋅非線性電阻。采用碳化硅滅磁時(shí)與氧化鋅非線性電阻滅磁設(shè)計(jì)的原則類似。而對(duì)于線性電阻的滅磁，所要考慮的僅僅是滅磁電阻以及電阻功率的選取，標(biāo)準(zhǔn)中有確切規(guī)定。

滅磁系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮工況

滅磁系統(tǒng)設(shè)計(jì)所需考慮的工況，目前在國(guó)內(nèi)有些爭(zhēng)議。一是建議按照額定負(fù)載下，發(fā)電機(jī)機(jī)端三相短路的工況考核滅磁系統(tǒng)電流、能容以及需要建立的弧壓。二是認(rèn)為在空載發(fā)電機(jī)勵(lì)磁失控誤強(qiáng)勵(lì)的工況來(lái)考核。

通常認(rèn)為最危險(xiǎn)的工況是空載勵(lì)磁失控誤強(qiáng)勵(lì)。此時(shí)開關(guān)面臨應(yīng)對(duì)整流輸出直流電壓和滅磁殘壓的疊加，并且電流也上升到失控強(qiáng)勵(lì)的電流（此電流值不會(huì)比三相短路電流小），而且可以證明此時(shí)發(fā)電機(jī)儲(chǔ)存的能量比三相短路的能量要大。因而采用此工況是合適的。

滅磁設(shè)計(jì)需要考慮的幾個(gè)問題

ZnO（這里以及文中其他地方所提到的ZnO均是指低場(chǎng)強(qiáng)高能量的非線性ZnO電阻）與SiC相比有較強(qiáng)的非線性特性，在滅磁過程中磁場(chǎng)電壓幾乎不變，滅磁速度快，可以使發(fā)電機(jī)的滅磁更接近于理想滅磁，因此在我國(guó)得到了廣泛的應(yīng)用。本文主要針對(duì)ZnO滅磁設(shè)計(jì)中值得注意的問題展開討論。

在滅磁主回路確定的前提下，ZnO滅磁的設(shè)計(jì)中主要考慮的問題包括：滅磁能容的估算、滅磁閥片最大允許通流能力、滅磁裝置最大允許電流、滅磁電阻的殘壓、滅磁電阻正反向荷電率、并聯(lián)支路滅磁電阻的均流和均能等。

滅磁容量的計(jì)算

事 實(shí)上根據(jù)ZnO閥片的試驗(yàn)結(jié)果，ZnO閥片的最大能容遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其標(biāo)稱容量。ZnO非線性電阻的能容量不是設(shè)計(jì)中最重要的因素，因?yàn)閆nO容量基本能夠滿足滅磁支路最大允許電流時(shí)的能容，而非線性滅磁電阻的損壞主要是由短時(shí)過電流以及長(zhǎng)期老化引起。以火電135MW自并激機(jī)組為例，根據(jù)能容的計(jì)算，一般都在2MJ以下，而發(fā)電機(jī)的額定勵(lì)磁電流一般在1300A以上。IEC37.18標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，發(fā)電機(jī)最大可能產(chǎn)生的勵(lì)磁電流為額定勵(lì)磁電流的3倍，即3900A以上。一般非線性滅磁電阻的并聯(lián)支路數(shù)在32路以上，甚至不少于40支路，當(dāng)采用兩個(gè)閥片串聯(lián)時(shí)，則閥片數(shù)量不少于80片。而閥片的實(shí)際能容都在30KJ以上，大多數(shù)閥片的最大能容在50-60KJ以上。也就是說(shuō)，當(dāng)ZnO并聯(lián)支路數(shù)滿足要求時(shí)，一般閥片的總能容都遠(yuǎn)遠(yuǎn)在滅磁能容的計(jì)算值之上。

這里有兩點(diǎn)值得大家注意：第一，在我們?cè)诳紤]最危險(xiǎn)滅磁工況時(shí)，滅磁閥片的能容不應(yīng)該簡(jiǎn)單地考慮閥片的標(biāo)稱能容，而應(yīng)該考慮閥片的最大能容，在此基礎(chǔ)上考慮均能、均流因素以及一定的裕量。也就是說(shuō)，在考慮發(fā)電機(jī)最危險(xiǎn)滅磁工況時(shí)，閥片的每片能容按30KJ計(jì)算是可行的。第二，理論上同樣配比的材料燒制出的閥片的能容與閥片的體積成正比，所以同樣截面的ZnO閥片，殘壓較高的閥片應(yīng)該具有較大的能容。