正文

MT-CVD技術(shù)沉積工藝如下。沉積溫度:700~ 900℃;沉積反應(yīng)壓力:2X10 ~2X10 Pa;主要反應(yīng)氣體配比: CHCN:TiCl:H=0.01:0.02:1;沉積時(shí)間:1一4h。