正文

快速熱退火 (RTA)技術(shù)指的是將晶片從環(huán)境溫度快速加熱至約1000–1500K，晶片達(dá)到該溫度后會(huì)保持幾秒鐘，然后完成淬火。這種技術(shù)主要被應(yīng)用于薄膜晶體管、太陽(yáng)電池等器件生產(chǎn)過(guò)程中的摻雜、點(diǎn)缺陷退火、雜質(zhì)激活等高溫( >700 ℃)過(guò)程。在低溫器件，如玻璃襯底的多晶硅薄膜太陽(yáng)電池應(yīng)用中也具有很大的潛力。

固相晶化非晶硅 (a- S i)薄膜法是一種最常見(jiàn)的間接制備多晶硅薄膜方法。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)薄膜大面積化，且工藝簡(jiǎn)單。但傳統(tǒng)的電熱爐退火進(jìn)行固相晶化時(shí)，晶化時(shí)間長(zhǎng)達(dá)幾個(gè)至幾十個(gè)小時(shí)，耗能及制造成本高。而采用 RTA，在較高溫度下幾分鐘內(nèi)就可使非晶硅晶化，而且晶化后的多晶硅膜缺陷較少、內(nèi)應(yīng)力小。