力晶于八十三年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū),業(yè)務(wù)范圍涵蓋動記憶體制造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在臺灣正式掛牌上柜。八十八年發(fā)行全球存托憑證,成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底,力晶擁有六千一百位員工,資本額達新臺幣七百八十二億元,年度營收為新臺幣七百七十五億元。

中文名

力晶半導(dǎo)體股份有限公司

外文名

Powerchip Semiconductor Corp.

機構(gòu)性質(zhì)

股份有限公司

企業(yè)簡稱

力晶

英文名稱

Powerchip Semiconductor Corp.

公司名稱

臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司

經(jīng)營范圍

半導(dǎo)體芯片

成立日期

1994-12

發(fā)展歷程

力晶半導(dǎo)體晶圓廠

為提升在國際市場的競爭力及達到量產(chǎn)的經(jīng)濟規(guī)模,公司設(shè)立之初,力晶即與日本三菱電機建立技術(shù)、生產(chǎn)與銷售的策略聯(lián)盟關(guān)系。目前與日本的DRAM大廠Elpida締結(jié)策略聯(lián)盟,雙方攜手合作共同研發(fā)最尖端DRAM技術(shù)。代工方面,力晶亦為三菱與日立LSI部門合并後的新公司瑞薩科技(RenesasTechnologyCorp.)的主要代工夥伴,邁向系統(tǒng)晶片(SystemLSI)產(chǎn)品領(lǐng)域。歷史沿革

1994年12月力晶半導(dǎo)體股份有限公司成立。

1995年03月八吋晶圓廠(8A廠)動土典禮。

1996年04月8A廠正式啟用。

10月8A廠開始量產(chǎn)0.40微米16MbDRAM/SDRAM。

1997年12月獲頒ISO9002國際品保系統(tǒng)驗證證書。

1998年02月8A廠量產(chǎn)0.30微米64MbDRAM/SDRAM。

03月公司股票正式以科技類股於柜買中心掛牌上柜。

07月切入代工服務(wù)領(lǐng)域有成,第一家美國代工客戶產(chǎn)品試產(chǎn)成功。

12月獲頒ISO14001國際環(huán)境管理系統(tǒng)驗證證書。

1999年06月與世界先進及三菱電機簽訂策略聯(lián)盟合作備忘錄,共組聯(lián)盟關(guān)系。

11月發(fā)行第一次海外存托憑證,總金額達美金288,900,000元。

2000年07月舉行第一座十二吋晶圓廠(P1廠)動土典禮。

2001年05月發(fā)行第一次公司債(含海外公司債),總額達美金200,000,000元。

09月榮獲經(jīng)濟部工業(yè)局所舉辦的第十二屆「品質(zhì)優(yōu)良案例獎」。

2002年10月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生評估系列驗證。

11月第一座十二吋晶圓廠(FabP1)正式量產(chǎn)。

2003年01月謝再居博士接任總經(jīng)理肩負營運重責(zé)。

08月力晶與日本Elpida公司正式簽訂0.10、0.09微米技術(shù)轉(zhuǎn)移合約。

10月第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土典禮。

2004年04月力晶十二吋晶圓廠代工業(yè)務(wù)正式投片。

09月力晶員工診所開幕。

2005年01月獲頒ISO/TS16949證書。

03月P2廠正式啟用。

05月力晶開始以十二吋晶圓廠生產(chǎn)高容量快閃記憶體。

2006年01月與旺宏達成協(xié)議購入晶圓廠房,并命名為12M廠。

02月與瑞薩(Renesas)達成AG-AND快閃記憶體技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

12月與爾必達簽訂合作備忘錄,將設(shè)合資公司以新臺幣4,500億元於臺灣中部建置全球最大12吋晶圓DRAM廠區(qū);雙方并決定共同開發(fā)50奈米DRAM制程技術(shù)。

2007年06月力晶研發(fā)測試中心動土典禮。

10月與爾必達合資之瑞晶電子公司第一座十二吋晶圓廠(R1廠)啟用。

2008年04月8A廠獨立為鉅晶電子公司。

4月與日商瑞薩、SHARP合資設(shè)立RenesasSP公司,共同拓展LCD驅(qū)動晶片市場。

4月第四/五座十二英寸晶圓廠(P4/P5廠)動土。

公司業(yè)務(wù)

產(chǎn)品與服務(wù)

力晶八吋晶圓廠(8A廠),自八十五年開始運轉(zhuǎn)量產(chǎn),目前已達四萬片的滿載月產(chǎn)能規(guī)模。八十九年力晶興建第一座十二吋晶圓廠(12A廠),滿載月產(chǎn)能可達四萬五千片,不僅是臺灣第一座為制造先進記憶體而量身打造的十二吋晶圓廠,也是全球半導(dǎo)體業(yè)界前三座進入量產(chǎn)的十二吋DRAM廠。九十二年十月力晶興建第二座十二吋晶圓廠(12B廠),預(yù)計九十四年第三季進入量產(chǎn),滿載月產(chǎn)能可達四萬片規(guī)模。[1]

精進技術(shù)、服務(wù)客戶,成為穩(wěn)定獲利的世界級半導(dǎo)體公司,是力晶的愿景。目前,力晶以先進的科技和產(chǎn)能,提供標(biāo)準(zhǔn)型記憶體(DRAM)、消費性記憶體(C-RAM)、通訊用記憶體(M-RAM)、高容量快閃記憶體(Flash)、CMOS影像感測器及多元化代工服務(wù)。未來,力晶將強化國際合作策略,引進尖端科技,持續(xù)穩(wěn)健投資,在快速變遷的高科技產(chǎn)業(yè)中不斷建立競爭優(yōu)勢,成為與客戶共創(chuàng)雙贏的全方位記憶體供應(yīng)商。

力晶半導(dǎo)體股份有限公司