張興旺，男，博士，研究員，博士生導師。1972年出生于安徽懷寧，分別于1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位?，F(xiàn)任國際空間研究委員會中國委員會（CNCOSPAR）委員、中國真空學會薄膜專業(yè)委員會委員、中國空間科學學會微重力科學與應用研究專業(yè)委員會委員、中科院材料領域?qū)＜医M專家。

中文名

張興旺

性別

男

出生日期

1972

國籍

中國

出生地

安徽懷寧

畢業(yè)院校

蘭州大學

人物履歷

1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位。

1999至2001年在香港中文大學電子工程系進行博士后研究，

2001至2004年任德國烏爾姆大學固體物理系博士后及洪堡學者，

于2004年7月入選中科院“百人計劃”，加入中科院半導體材料重點實驗室。

研究領域

二維原子晶體材料與器件，光伏材料與器件，寬帶隙半導體材料與器件[1]。

科研成果

發(fā)展了一種制備大面積、高質(zhì)量六方氮化硼（h-BN）二維原子晶體的新方法，制備出毫米尺寸h-BN單晶疇。制備出光電轉(zhuǎn)換效率超過21%的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦電池，被中國太陽能電池的最高紀錄表格收錄，也是世界上同類電池結(jié)構中的最高效率。首次成功制備出異質(zhì)外延生長的立方氮化硼（c-BN）薄膜，相關結(jié)果在Nat.Mater.上發(fā)表后得到國際同行科學家的廣泛關注和高度評價，為實現(xiàn)c-BN薄膜作為高溫電子材料奠定了基礎[1]。

主要貢獻

已主持或承擔科技部863、973計劃、國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金等科研課題20余項，在Nat.Mater.,Nat.Energy,Nat.Commun.Adv.Mater.,等國內(nèi)外雜志發(fā)表SCI論文140余篇，論文被他引2300余次，獲授權發(fā)明專利20項；曾獲北京市科學技術進步二等獎及中科院優(yōu)秀研究生指導教師獎，指導的研究生4人獲中科院院長獎，5人獲中科院優(yōu)秀畢業(yè)生，多人次獲國家獎學金[1]。