概念
對于處于熱平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,其中載流子在能帶中的分布遵從Fermi-Dirac分布函數(shù)(f(E)),并且整個(gè)系統(tǒng)具有統(tǒng)一的Fermi能級(Ef),其中的電子和空穴的濃度都可以采用這同一條Fermi能級來表示:
準(zhǔn)費(fèi)米能級
準(zhǔn)費(fèi)米能級
準(zhǔn)費(fèi)米能級
準(zhǔn)費(fèi)米能級
準(zhǔn)費(fèi)米能級
準(zhǔn)費(fèi)米能級
其中 為本征載流子濃度,分別為本征費(fèi)米能級,摻雜后的費(fèi)米能級,為波茲曼常數(shù),為開氏溫標(biāo)下的溫度。而對于處于非(熱)平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,由于Fermi-Dirac分布函數(shù)及其Fermi能級的概念在這時(shí)已經(jīng)失去了意義,從而,也就不能再采用Fermi能級來討論非平衡載流子的統(tǒng)計(jì)分布了。因此,非平衡載流子的濃度計(jì)算是一個(gè)很復(fù)雜的非平衡統(tǒng)計(jì)問題。
不過,對于非平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體,其中的非平衡載流子可以近似地看成是處于一定的準(zhǔn)平衡狀態(tài)。例如,注入到半導(dǎo)體中的非平衡電子,在它們所處的導(dǎo)帶內(nèi),通過與其他電子的相互作用,可以很快地達(dá)到與該導(dǎo)帶相適應(yīng)的、接近(熱)平衡的狀態(tài),這個(gè)過程所需要的時(shí)間很短(該時(shí)間稱為
介電弛豫時(shí)間
,大約在10-10ps以下),比 非平衡載流子的壽命
(即非平衡載流子的平均生存時(shí)間,通常是μs數(shù)量級)要短得多,所以,可近似地認(rèn)為,注入到能帶內(nèi)的非平衡電子在導(dǎo)帶內(nèi)是處于一種“準(zhǔn)平衡狀態(tài)”。類似的,注入到價(jià)帶中的非平衡空穴,也可以近似地認(rèn)為它們在價(jià)帶中是處于一種“準(zhǔn)平衡狀態(tài)
”。因此,半導(dǎo)體中的非平衡載流子,可以認(rèn)為它們都處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)(即導(dǎo)帶所有的電子和價(jià)帶所有的空穴分別處于準(zhǔn)平衡狀態(tài))。當(dāng)然,導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴之間,并不能認(rèn)為處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)(因?yàn)閷?dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴之間并不能在很短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到準(zhǔn)平衡狀態(tài))。對于處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)的非平衡載流子,可以近似地引入與Fermi能級相類似的物理量——準(zhǔn)Fermi能級來分析其統(tǒng)計(jì)分布;當(dāng)然,采用準(zhǔn)Fermi能級這個(gè)概念,是一種近似,但確是一種較好的近似?;谶@種近似,對于導(dǎo)帶中的非平衡電子,即可引入電子的準(zhǔn)Fermi能級;對于價(jià)帶中的非平衡空穴,即可引入空穴的準(zhǔn)Fermi能級。
應(yīng)用
①引入了準(zhǔn)Fermi能級之后,就能夠仿照采用Fermi-Drac統(tǒng)計(jì)來分析平衡載流子分布那樣,來分析非平衡載流子的統(tǒng)計(jì)分布。若導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的準(zhǔn)Fermi能級分別為Efn和Efp,則可以近似地表示出非平衡態(tài)載流子的所謂準(zhǔn)Fermi分布函數(shù)為
fn(E)=1/{exp[(E-Efn)+1]}, fp(E)=1/{exp[(Efp-E)+1]}。
②同時(shí),仿照平衡載流子濃度的表示,也可以直接給出非平衡狀態(tài)時(shí)的總電子濃度n和非平衡狀態(tài)時(shí)的總空穴濃度p的表示式為
n=no+Δn=Nc×exp[-(Ec-Efn)/kT], p=po+Δp=Nv×exp[-(Efp-Ev)/kT]。
總之,對于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,沒有統(tǒng)一的一條Fermi能級,但是可以認(rèn)為導(dǎo)帶和價(jià)帶分別處于準(zhǔn)平衡狀態(tài),則對于其中的非平衡電子和非平衡空穴,可以引入相應(yīng)的電子準(zhǔn)Fermi能級(Efn)和空穴準(zhǔn)Fermi能級(Efp)來分別描述其分布狀況。
③由非平衡載流子的濃度表示式,可以見到,準(zhǔn)Fermi能級在能帶中的位置即分別表征了總的電子和總的空穴的濃度大小:總的電子濃度n越大,Efn就越靠近導(dǎo)帶底Ec;總的空穴濃度p越大,Efp就越靠近價(jià)帶頂Ev。
在小注入情況下,對于非平衡態(tài)的n型半導(dǎo)體,其中電子是多數(shù)載流子,總的非平衡電子濃度與總的平衡電子濃度差不多,因此,這時(shí)電子的準(zhǔn)Fermi能級與平衡態(tài)時(shí)系統(tǒng)的Fermi能級基本上是一致的,處于導(dǎo)帶底附近;但是空穴——少數(shù)載流子的準(zhǔn)Fermi能級卻偏離平衡態(tài)時(shí)系統(tǒng)的Fermi能級較遠(yuǎn),處于近價(jià)帶頂附近。對于非平衡態(tài)的p型半導(dǎo)體,情況相反,空穴準(zhǔn)Fermi能級與平衡態(tài)時(shí)系統(tǒng)的Fermi能級基本上是一致的,處于近價(jià)帶頂附近;而電子的準(zhǔn)Fermi能級是處于導(dǎo)帶底附近。
④非平衡半導(dǎo)體中存在兩條準(zhǔn)Fermi能級,即電子的準(zhǔn)Fermi能級和空穴的準(zhǔn)Fermi能級;并且這兩條準(zhǔn)Fermi能級所分開的距離,與外加作用的強(qiáng)度有關(guān)(例如外加電壓越大,它們分開的距離就越大)。若去除外加作用,則由于非平衡載流子將要逐漸復(fù)合,相應(yīng)的這兩條準(zhǔn)Fermi能級即逐漸靠攏;當(dāng)非平衡載流子完全消失以后,則這兩條準(zhǔn)Fermi能級即合二為一,即回復(fù)到平衡狀態(tài)時(shí)的一條Fermi能級。
例如pn結(jié),在熱平衡時(shí),雖然其中存在電荷(空間電荷)和電場(內(nèi)建電場),但是兩邊的半導(dǎo)體具有相同的一條Fermi能級;而在外加有電壓時(shí),pn結(jié)即處于非平衡狀態(tài),這時(shí)兩邊的半導(dǎo)體中出現(xiàn)了非平衡少數(shù)載流子(注入或者抽出),因此兩邊的Fermi能級就分開了——一邊是電子的準(zhǔn)Fermi能級,另一邊是空穴的準(zhǔn)Fermi能級,兩邊準(zhǔn)Fermi能級分開的大小即與外加電壓的高低有關(guān)。