韓秀峰（中科院物理研究所研究員）

簡介

年畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系獲學(xué)士學(xué)位，1990和1993年在吉林大學(xué)獲理學(xué)碩士和博士學(xué)位。1994-1996年在中科院物理所博士后。1998年巴西物理研究中心訪問學(xué)者，1999至2000年日本東北大學(xué)日本學(xué)術(shù)振興會海外特別研究員。2000年12月入選中科院“百人計劃”。2001年美國新奧爾良大學(xué)和愛爾蘭都柏林大學(xué)圣三一學(xué)院研究員。2002年至今為物理所研究員、博士生導(dǎo)師、課題組長。2003年獲國家基金委杰出青年基金資助。美國JAP、APL、J. Nanosci. and Nanotech. 及Microelectronics J.等雜志邀請審稿人。目前負(fù)責(zé)正在執(zhí)行的國家自然科學(xué)基金項目一項、NSFC-JSPS中日國際合作交流基金一項、中愛國際合作重大研究基金一項；在科技部973項目《自旋電子學(xué)材料、物理及器件》中負(fù)責(zé)第一子課題《磁性隧道結(jié)材料、物理及器件》的研究工作。

研究方向及成績

自旋電子學(xué)的材料、物理及器件原理研究。

過去的主要工作及獲得的成果：主要從事納米磁性薄膜、磁性隧道結(jié)材料、新型稀土永磁以及磁各向異性理論和自旋電子輸運(yùn)性質(zhì)的研究工作。在SCI收錄的國際學(xué)術(shù)雜志上發(fā)表論文80余篇，其中有60余篇論文同時也被EI收錄。有關(guān)新相化合物R3（Fe，T）29及其永磁體的研究工作獲1997年東京第四屆國際材料大會（IUMRS）優(yōu)秀青年學(xué)者獎。2000年1月在日本東北大學(xué)用CoFe合金制備出當(dāng)時國際最高記錄的室溫磁電阻比值為50%、4.2K為70%的磁隧穿電阻結(jié)，這種磁隧穿電阻結(jié)是制備磁動態(tài)隨機(jī)存儲器（MRAM）的較佳材料。通過引入各向異性的自旋波波長截止能量ECγ，改進(jìn)了一種隧穿電子自旋極化輸運(yùn)理論。這些研究工作對研制用于計算機(jī)的新一代磁動態(tài)隨機(jī)存儲器和磁頭及其它磁敏感器件等具有重要的實驗和理論價值。2003年12月他和研究生及合作者在非晶Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B磁性隧道結(jié)和半金屬La-Sr-Mn-O復(fù)合磁性隧道結(jié)研究方面獲得了4.2K隧穿磁電阻分別超過100%和3000%的重要進(jìn)展，從隧道結(jié)器件層次上印證了非晶合金Co-Fe-B的高自旋極化率和La-Sr-Mn-O半金屬性質(zhì)的可利用性。2003年提交專利申請10項。

目研究課題及展望

1.磁性隧道結(jié)和隧穿磁電阻（TMR）效應(yīng)及磁隨機(jī)存儲器（MRAM）器件原理的研究；

2.基于自旋閥和磁性隧道結(jié)的磁電阻材料及其磁敏傳感器的研究；

3.高密度垂直磁記錄介質(zhì)材料的制備及其磁性質(zhì)研究；

4.納米約束磁電阻材料的微制備及自旋輸運(yùn)性質(zhì)的研究；

5.半金屬和金屬氧化物復(fù)合磁性隧道結(jié)的微制備及其自旋輸運(yùn)性質(zhì)的研究。