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俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。因為Y電子是在已有一個空穴的情況下電離的，因此，該電離能相當于原子序數(shù)為Z和Z 1之間的原子的電離能。E是入射電子的能量，E是最初被電離的內(nèi)層能級的能量。
基本信息
| 發(fā)現(xiàn)者 | 俄歇 |
| 時間 | 1925 年 |
| 激發(fā)源 | 利用高能電子束為激發(fā)源 |
| 基本原理 | 物理原理 |
基本原理
物理原理
俄歇電子和X射線產(chǎn)額
俄歇電子發(fā)射原理圖解
，釋放的能量又使另一個M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。
俄歇躍遷
對于自由原子來說，圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續(xù)的"軌道”上，這些“軌道”又組成K、L、M、N 等電子殼層。我們用“能級”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發(fā)，內(nèi)層 電子被 電離，留下一個空穴。此時原子處于激發(fā)態(tài)，不穩(wěn)定。較高能級上的一個電子降落到內(nèi)層能級的空位中去，同時放出多余的能量。這些能量可以作為光子發(fā)射特征射線，也可以轉移給第三個電子并使之發(fā)射出來。這就是俄歇電子。通常用射線能級來標志俄歇躍遷。例如KLL俄歇電子就是表示最初K能級被電離，L能級的電子填入K能級空位，多余的能量傳給了L能級上 的一個電子，并使之發(fā)射出來。
能量公式
對于原子序數(shù)為Z的原子，俄歇電子的能量可以用下面經(jīng)驗公式計算：
式中，
：原子序數(shù)為Z的原子，W空穴被X電子填充得到的俄歇電子Y的能量。
俄歇電子能譜實例
由于一次電子束能量遠高于原子內(nèi)層軌道的能量，可以激發(fā)出多個內(nèi)層電子，會產(chǎn)生多種俄歇躍遷，因此，在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復雜，但依靠多個俄歇峰，會使得定性分析準確度很高，可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時，還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系，進行元素的半定量分析，俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為1.0-3.0nm,絕對靈敏可達到10單原子層。是一種很有用的分析方法。
俄歇電流
從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10I，I是入射電子束流。俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算，但由于受多種因子的影響。計算很復雜，并與實驗符合得不好。在實際測量時，為了使俄歇電流達到最大，必須選擇適當?shù)腅/E比例。E是入射電子的能量，E是最初被電離的內(nèi)層能級的能量。若EE則不足以電離W能級，俄歇電子產(chǎn)額等于零。若E》E，則人射電子和原子相互作用的時間不足，也不利于提高俄歇產(chǎn)額。能獲得最大俄歇電子產(chǎn)額的E/E比例大約是2—6 。用小角度入射掠射 時可以增加有效的“檢測體積”，使更多的表面原子電離, 從而增加俄歇產(chǎn)額。一般來說最佳的入射角是
。
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜
電子光學系統(tǒng)主要由電子激發(fā)源（熱陰極電子槍）、電子束聚焦（電磁透鏡）和偏轉系統(tǒng)（偏轉線圈）組成。電子光學系統(tǒng)的主要指標是入射電子束能量，束流強度和束直徑三個指標。其中AES分析的最小區(qū)域基本上取決于入射電子束的最小束斑直徑；探測靈敏度取決于束流強度。這兩個指標通常有些矛盾，因為束徑變小將使束流顯著下降，因此一般需要折中。
俄歇電子能譜
這是AES的心臟，其作用是收集并分開不同的動能的電子。由于俄歇電子能量極低，必須采用特殊的裝置才能達到儀器所需的靈敏度。目前幾乎所有的俄歇譜儀都使用一種叫作筒鏡分析器的裝置。
分析器的主體是兩個同心的圓筒。樣品和內(nèi)筒同時接地，在外筒上施加一個負的偏轉電壓，內(nèi)筒上開有圓環(huán)狀的電子入口和出口，激發(fā)電子槍放在鏡筒分析器的內(nèi)腔中（也可以放在鏡筒分析器外）。由樣品上發(fā)射的具有一定能量的電子從入口位置進入兩圓筒夾層，因外筒加有偏轉電壓，最后使電子從出口進入檢測器。若連續(xù)地改變外筒上的偏轉電壓，就可在檢測器上依次接收到具有不同能量的俄歇電子，從能量分析器輸出的電子經(jīng)電子倍增器、前置放大器后進入脈沖計數(shù)器，最后由X-Y記錄儀或熒光屏顯示俄歇譜 俄歇電子數(shù)目N隨電子能量E的分布曲線
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